codice articolo del costruttoreAS4C16M32MD1-5BINTR
Produttore / MarcaAlliance Memory, Inc.
quantité disponible158330 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneIC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
categoria di prodottoMemoria
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
AS4C16M32MD1-5BINTR
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo di memoria
Volatile
Formato di memoria
DRAM
Tecnologia
SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria
512Mb (16M x 32)
Frequenza di clock
200MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina
15ns
Tempo di accesso
5ns
Interfaccia di memoria
Parallel
Tensione - Fornitura
1.7 V ~ 1.95 V
temperatura di esercizio
-40°C ~ 85°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / caso
90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore
90-FBGA (8x13)
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
AS4C16M32MD1-5BINTR

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Parole chiave correlate per "AS4C16"

Numero di parte fabbricante Descrizione
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AS4C16M16D1-5BCNTR Alliance Memory, Inc. IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
AS4C16M16D1-5BIN Alliance Memory, Inc. IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
AS4C16M16D1-5BINTR Alliance Memory, Inc. IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
AS4C16M16D1-5TCN Alliance Memory, Inc. IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
AS4C16M16D1-5TCNTR Alliance Memory, Inc. IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
AS4C16M16D1-5TIN Alliance Memory, Inc. IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
AS4C16M16D1-5TINTR Alliance Memory, Inc. IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
AS4C16M16D1A-5TCN Alliance Memory, Inc. IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
AS4C16M16D1A-5TCNTR Alliance Memory, Inc. IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
AS4C16M16D1A-5TIN Alliance Memory, Inc. IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
AS4C16M16D1A-5TINTR Alliance Memory, Inc. IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II