VS-ETU1506S-M3 Vishay Semiconductor Diodes Division Distributeur
| Référence fabricant | VS-ETU1506S-M3 |
|---|---|
| Fabricant / marque | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| quantité disponible | 139100 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK |
| catégorie de produit | Diodes - Redresseurs - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | VS-ETU1506S-M3.pdf |
S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour VS-ETU1506S-M3 Dans les 24 heures.
- Numéro d'article
- VS-ETU1506S-M3
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- Type de diode
- Standard
- Tension - DC Reverse (Vr) (Max)
- 600V
- Courant - Rectifié moyen (Io)
- 15A
- Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si
- 1.9V @ 15A
- La vitesse
- Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Temps de récupération inverse (trr)
- 40ns
- Courant - Fuite inverse @ Vr
- 15µA @ 600V
- Capacitance @ Vr, F
-
- Type de montage
- Surface Mount
- Paquet / cas
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Package de périphérique fournisseur
- D2PAK
- Température de fonctionnement - Jonction
- -65°C ~ 175°C
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- VS-ETU1506S-M3
Composants connexes fabriqués par Vishay Semiconductor Diodes Division
-1,30mm.jpg "CDR31BX682AKMRAJ")
Mots-clés associés pour "VS-E"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| VS-E4PH3006L-N3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD |
| VS-E4PH3006LHN3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD |
| VS-E4PH6006L-N3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD |
| VS-E4PH6006LHN3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD |
| VS-E4PU3006L-N3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD |
| VS-E4PU3006LHN3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD |
| VS-E4PU6006L-N3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD |
| VS-E4PU6006LHN3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD |
| VS-E4TU2006FP-N3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 20A TO220-2 |
| VS-E4TU2006TFP-N3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 20A TO220-2 |
| VS-EBU15006-F4 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GP 600V 150A POWERTAB |
| VS-EBU15006HF4 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GP 600V 150A POWERTAB |