SI3458BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix Distributeur
| Référence fabricant | SI3458BDV-T1-GE3 |
|---|---|
| Fabricant / marque | Vishay Siliconix |
| quantité disponible | 83560 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | SI3458BDV-T1-GE3.pdf |
S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour SI3458BDV-T1-GE3 Dans les 24 heures.
- Numéro d'article
- SI3458BDV-T1-GE3
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- FET Type
- N-Channel
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 60V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 4.1A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 100 mOhm @ 3.2A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3V @ 250µA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 11nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 350pF @ 30V
- FET Caractéristique
-
- Dissipation de puissance (Max)
- 2W (Ta), 3.3W (Tc)
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Package de périphérique fournisseur
- 6-TSOP
- Paquet / cas
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- SI3458BDV-T1-GE3
Composants connexes fabriqués par Vishay Siliconix
.jpg "PHP00805H9760BST1")
Mots-clés associés pour "SI345"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| SI3451DV | VISHAY | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI3451DV-T1 | VISHAY | SI3451DV-T1 original vishay components |
| SI3451DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP |
| SI3451DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP |
| SI3452DV-T1-E3 | VISHAY | SI3452DV-T1-E3 original vishay components |
| SI3453DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 30V 3.4A 6TSOP |
| SI3454 | VISHAY | SI3454 original vishay components |
| SI3454-B01-IM | Silicon Labs | IC POE PSE 4 PORT 802.3AT 38QFN |
| SI3454AD-T1-E3 | VISHAY | SI3454AD-T1-E3 original vishay components |
| SI3454ADV | VISHAY | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI3454ADV-T1 | VISHAY | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI3454ADV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 3.4A 6-TSOP |