SI2312BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix Distributeur
| Référence fabricant | SI2312BDS-T1-GE3 |
|---|---|
| Fabricant / marque | Vishay Siliconix |
| quantité disponible | 105990 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | SI2312BDS-T1-GE3.pdf |
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- Numéro d'article
- SI2312BDS-T1-GE3
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- FET Type
- N-Channel
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 20V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 3.9A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.8V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 31 mOhm @ 5A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 850mV @ 250µA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 12nC @ 4.5V
- Vgs (Max)
- ±8V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
- FET Caractéristique
-
- Dissipation de puissance (Max)
- 750mW (Ta)
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Package de périphérique fournisseur
- SOT-23-3 (TO-236)
- Paquet / cas
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- SI2312BDS-T1-GE3
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| Numéro d'article | Fabricant | La description |
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