Référence fabricantSSM6L35FE,LM
Fabricant / marqueToshiba Semiconductor and Storage
quantité disponible31360 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
SSM6L35FE,LM
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
FET Type
N and P-Channel
FET Caractéristique
Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
180mA, 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
9.5pF @ 3V
Puissance - Max
150mW
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur
ES6 (1.6x1.6)
Poids
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Application
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Pièce de rechange
SSM6L35FE,LM

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Numéro d'article Fabricant La description
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