Référence fabricantTPS1101DR
Fabricant / marqueTexas Instruments
quantité disponible103610 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
TPS1101DR
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
FET Type
P-Channel
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)
15V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
2.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11.25nC @ 10V
Vgs (Max)
+2V, -15V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
FET Caractéristique
-
Dissipation de puissance (Max)
791mW (Ta)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Package de périphérique fournisseur
8-SOIC
Paquet / cas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids
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Application
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Pièce de rechange
TPS1101DR

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