RS1JLHM2G Taiwan Semiconductor Corporation Distributeur
| Référence fabricant | RS1JLHM2G |
|---|---|
| Fabricant / marque | Taiwan Semiconductor Corporation |
| quantité disponible | 51900 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA |
| catégorie de produit | Diodes - Redresseurs - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | RS1JLHM2G.pdf |
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- Numéro d'article
- RS1JLHM2G
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- Type de diode
- Standard
- Tension - DC Reverse (Vr) (Max)
- 600V
- Courant - Rectifié moyen (Io)
- 800mA
- Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si
- 1.3V @ 800mA
- La vitesse
- Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Temps de récupération inverse (trr)
- 250ns
- Courant - Fuite inverse @ Vr
- 5µA @ 600V
- Capacitance @ Vr, F
- 10pF @ 4V, 1MHz
- Type de montage
- Surface Mount
- Paquet / cas
- DO-219AB
- Package de périphérique fournisseur
- Sub SMA
- Température de fonctionnement - Jonction
- -55°C ~ 150°C
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- RS1JLHM2G
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