1N5817WS SJ STMicroelectronics Distributeur
| Référence fabricant | 1N5817WS SJ |
|---|---|
| Fabricant / marque | STMicroelectronics |
| quantité disponible | 51190 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | 1N5817WS SJ STM IC SOD-123 |
| catégorie de produit | STM IC |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | 1N5817WS SJ.pdf |
S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour 1N5817WS SJ Dans les 24 heures.
- Numéro d'article
- 1N5817WS SJ
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Emballage / cas
- SOD-123
- Séries
- 1N58
- Pays d'origine
- contact us
- État de la pièce
- Active
- Configuration de sortie
- -
- Le type de sortie
- -
- Nombre de régulateurs
- -
- Tension - Entrée
- -
- Tension - Sortie
- -
- Courant - Sortie
- -
- Offre actuelle
- -
- Caractéristiques de contrôle
- -
- Caractéristiques de protection
- -
- Température de fonctionnement
- contact us
- Package de périphérique fournisseur
- -
- Autre numéro de pièce
- 1N5817WS SJ
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- 1N5817WS SJ
Composants connexes fabriqués par STMicroelectronics
-
-
STMicroelectronicsFlash In-System Programmable ISP Peripherals For 16-bit MCUs 5V Supply IC -
-
STMicroelectronicsConfigurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers IC
-
STMicroelectronics256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP IC
-
-
-
STMicroelectronicsLow voltage 0.3ヘ max single SPDT switch with break-before-make feature and 10kV contact ESD protection IC
-
STMicroelectronics8/16-BIT SINGLE VOLTAGE FLASH MCU FAMILY WITH RAM, E3 TM(EMULATED EEPROM), CAN 2.0B AND J1850 BLPD IC
-
Mots-clés associés pour "1N58"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| 1N5802 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL |
| 1N5802US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 1A D5A |
| 1N5803 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL |
| 1N5804 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL |
| 1N5804US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A D5A |
| 1N5805 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL |
| 1N5806 | Semtech Corporation | DIODE GEN PURP 150V 3.3A AXIAL |
| 1N5806/TR | Microsemi Corporation | UFR,FRR |
| 1N5806C.TR | Semtech Corporation | DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL |
| 1N5806E3/TR | Microsemi Corporation | UFR,FRR |
| 1N5806JANTXV | VISHAY | 1N5806JANTXV original vishay components |
| 1N5806TR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL |