Référence fabricantEM6M1T2R
Fabricant / marqueRohm Semiconductor
quantité disponible139460 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique EM6M1T2R.pdf

S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour EM6M1T2R Dans les 24 heures.

Numéro d'article
EM6M1T2R
Statut de production (cycle de vie)
Contact us
Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Not For New Designs
FET Type
N and P-Channel
FET Caractéristique
Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)
30V, 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
100mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.9nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
13pF @ 5V
Puissance - Max
150mW
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur
EMT6
Poids
Contact us
Application
Email for details
Pièce de rechange
EM6M1T2R

Composants connexes fabriqués par Rohm Semiconductor

Mots-clés associés pour "EM"

Numéro d'article Fabricant La description
EM 1 Sanken DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
EM 1A Sanken DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
EM 1AV Sanken DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
EM 1AV0 Sanken DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
EM 1AV1 Sanken DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
EM 1AW Sanken DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
EM 1B Sanken DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
EM 1BV Sanken DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
EM 1BV0 Sanken DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
EM 1BV1 Sanken DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
EM 1C Sanken DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
EM 1CV Sanken DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL