Référence fabricantIRF634B-FP001
Fabricant / marqueON Semiconductor
quantité disponible167930 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique IRF634B-FP001.pdf

S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour IRF634B-FP001 Dans les 24 heures.

Numéro d'article
IRF634B-FP001
Statut de production (cycle de vie)
Contact us
Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)
250V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
8.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450 mOhm @ 4.05A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 25V
FET Caractéristique
-
Dissipation de puissance (Max)
74W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Package de périphérique fournisseur
TO-220AB
Paquet / cas
TO-220-3
Poids
Contact us
Application
Email for details
Pièce de rechange
IRF634B-FP001

Composants connexes fabriqués par ON Semiconductor

Mots-clés associés pour "IRF6"

Numéro d'article Fabricant La description
IRF6000T00B01 SAMSUNG SAMSUNG orginal components
IRF6000T00B02 SAMSUNG SAMSUNG orginal components
IRF6001I Texas Instruments (TI) IRF6001I TI BGA IC
IRF603FP STMicroelectronics IRF603FP STM IC TO-220F
IRF60B217 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 60A
IRF60DM206 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 130A
IRF60R217 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 58A
IRF610 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
IRF610-613 FAIRCHILD N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V IC
IRF610-R4941 FAIRCHILD IRF610-R4941 FAIRCHILD IC TO220
IRF610-TSTU SAMSUNG SAMSUNG orginal components
IRF610/SIHF610 VISHAY IRF610/SIHF610 original vishay components