Référence fabricantFDMD86100
Fabricant / marqueON Semiconductor
quantité disponible200980 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOSFET 2N-CH 100V
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
FDMD86100
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
FET Type
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET Caractéristique
Standard
Drain à la tension de source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2060pF @ 50V
Puissance - Max
2.2W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
8-PowerWDFN
Package de périphérique fournisseur
8-Power 5x6
Poids
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Application
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Pièce de rechange
FDMD86100

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