Référence fabricantMRF8S21100HSR3
Fabricant / marqueNXP USA Inc.
quantité disponible75560 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionFET RF 65V 2.17GHZ NI780S
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - RF
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique MRF8S21100HSR3.pdf

S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour MRF8S21100HSR3 Dans les 24 heures.

Numéro d'article
MRF8S21100HSR3
Statut de production (cycle de vie)
Contact us
Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Obsolete
Type de transistor
LDMOS
La fréquence
2.17GHz
Gain
18.3dB
Tension - Test
28V
Note actuelle
-
Figure de bruit
-
Actuel - Test
700mA
Puissance - Sortie
24W
Tension - Rated
65V
Paquet / cas
NI-780S
Package de périphérique fournisseur
NI-780S
Poids
Contact us
Application
Email for details
Pièce de rechange
MRF8S21100HSR3

Composants connexes fabriqués par NXP USA Inc.

Mots-clés associés pour "MRF8"

Numéro d'article Fabricant La description
MRF89XA-I/MQ Microchip Technology IC RF TXRX ISM<1GHZ 32-WFQFN
MRF89XAM8A-I/RM Microchip Technology RF TXRX MOD ISM<1GHZ TRACE ANT
MRF89XAM9A-I/RM Microchip Technology RF TXRX MOD ISM<1GHZ TRACE ANT
MRF89XAT-I/MQ Microchip Technology IC RF TXRX ISM<1GHZ 32-WFQFN
MRF8HP21080HR3 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780-4
MRF8P20140WGHSR3 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S
MRF8P20140WHR3 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4
MRF8P20140WHR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4
MRF8P20140WHSR3 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S-4
MRF8P20140WHSR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S-4
MRF8P20165WHR3 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4
MRF8P20165WHR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4