Référence fabricantMRF6S19100MBR1
Fabricant / marqueNXP USA Inc.
quantité disponible164270 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionFET RF 68V 1.99GHZ TO272-4
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - RF
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
MRF6S19100MBR1
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Obsolete
Type de transistor
LDMOS
La fréquence
1.99GHz
Gain
14.5dB
Tension - Test
28V
Note actuelle
-
Figure de bruit
-
Actuel - Test
950mA
Puissance - Sortie
22W
Tension - Rated
68V
Paquet / cas
TO-272-4
Package de périphérique fournisseur
TO-272 WB-4
Poids
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Application
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Pièce de rechange
MRF6S19100MBR1

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Numéro d'article Fabricant La description
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MRF6P18190HR6 NXP USA Inc. FET RF 68V 1.88GHZ NI-1230
MRF6P21190HR5 NXP USA Inc. FET RF 68V 2.12GHZ NI-1230
MRF6P21190HR6 NXP USA Inc. FET RF 68V 2.12GHZ NI-1230
MRF6P23190HR5 NXP USA Inc. FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230
MRF6P23190HR6 NXP USA Inc. FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230
MRF6P24190HR5 NXP USA Inc. FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230
MRF6P24190HR6 NXP USA Inc. FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230
MRF6P27160HR5 NXP USA Inc. FET RF 68V 2.66GHZ NI-1230
MRF6P27160HR6 NXP USA Inc. FET RF 68V 2.66GHZ NI-1230
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