Référence fabricantA2I25D025GNR1
Fabricant / marqueNXP USA Inc.
quantité disponible173890 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionIC TRANSISTOR RF LDMOS
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - RF
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique A2I25D025GNR1.pdf

S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour A2I25D025GNR1 Dans les 24 heures.

Numéro d'article
A2I25D025GNR1
Statut de production (cycle de vie)
Contact us
Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type de transistor
LDMOS (Dual)
La fréquence
2.69GHz
Gain
31.9dB
Tension - Test
28V
Note actuelle
-
Figure de bruit
-
Actuel - Test
59mA
Puissance - Sortie
3.2W
Tension - Rated
65V
Paquet / cas
TO-270-17 Variant, Gull Wing
Package de périphérique fournisseur
TO-270WBG-17
Poids
Contact us
Application
Email for details
Pièce de rechange
A2I25D025GNR1

Composants connexes fabriqués par NXP USA Inc.

Mots-clés associés pour "A2I2"

Numéro d'article Fabricant La description
A2I20D020GNR1 NXP USA Inc. IC AMP W-CDMA 1.4-2.2GHZ TO270
A2I20D020NR1 NXP USA Inc. IC AMP W-CDMA 1.4-2.2GHZ TO270WB
A2I20D040GNR1 NXP USA Inc. IC AMP 1.4GHZ-2.2GHZ TO270WBG-17
A2I20D040NR1 NXP USA Inc. IC AMP W-CDMA 1.4-2.2GHZ TO270WB
A2I20H060GNR1 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2I20H060NR1 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2I20H080GNR1 NXP USA Inc. AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
A2I20H080NR1 NXP USA Inc. AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
A2I22D050GNR1 NXP USA Inc. IC AMP W-CDMA 1.8-2.2GHZ TO270
A2I22D050NR1 NXP USA Inc. IC AMP W-CDMA 1.8-2.2GHZ TO270WB
A2I25D012GNR1 NXP USA Inc. IC AMP W-CDMA 2.3-2.69GHZ TO270
A2I25D012NR1 NXP USA Inc. IC AMP W-CDMA 2.3-2.69GHZ TO270