APTM100H46FT3G Microsemi Corporation Distributeur
Référence fabricant | APTM100H46FT3G |
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Fabricant / marque | Microsemi Corporation |
quantité disponible | 61620 Pieces |
Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
Brève description | MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3 |
catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Matrices |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | APTM100H46FT3G.pdf |
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- Numéro d'article
- APTM100H46FT3G
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- FET Type
- 4 N-Channel (H-Bridge)
- FET Caractéristique
- Standard
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 1000V (1kV)
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 19A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 552 mOhm @ 16A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 5V @ 2.5mA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 260nC @ 10V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 6800pF @ 25V
- Puissance - Max
- 357W
- Température de fonctionnement
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Chassis Mount
- Paquet / cas
- SP3
- Package de périphérique fournisseur
- SP3
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- APTM100H46FT3G
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