APT75GN120B2G Microsemi Corporation Distributeur
| Référence fabricant | APT75GN120B2G |
|---|---|
| Fabricant / marque | Microsemi Corporation |
| quantité disponible | 215640 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | IGBT 1200V 200A 833W TMAX |
| catégorie de produit | Transistors - IGBT - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | APT75GN120B2G.pdf |
S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour APT75GN120B2G Dans les 24 heures.
- Numéro d'article
- APT75GN120B2G
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Not For New Designs
- Type d'IGBT
- Trench Field Stop
- Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)
- 1200V
- Courant - Collecteur (Ic) (Max)
- 200A
- Courant - Collecteur pulsé (Icm)
- 225A
- Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
- 2.1V @ 15V, 75A
- Puissance - Max
- 833W
- Échange d'énergie
- 8045µJ (on), 7640µJ (off)
- Type d'entrée
- Standard
- Charge de porte
- 425nC
- Td (marche / arrêt) à 25 ° C
- 60ns/620ns
- Condition de test
- 800V, 75A, 1 Ohm, 15V
- Temps de récupération inverse (trr)
-
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Through Hole
- Paquet / cas
- TO-247-3 Variant
- Package de périphérique fournisseur
-
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- APT75GN120B2G
Composants connexes fabriqués par Microsemi Corporation
.jpg "MSMCJLCE22AE3")
Mots-clés associés pour "APT7"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 |
| APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 |
| APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 |
| APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 |
| APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC |
| APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC |
| APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC |
| APT75DF170HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1700V SOT-227 |
| APT75DL120HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1200V SOT-227 |
| APT75DL60HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 600V SOT-227 |
| APT75DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247 |