NAND04GW3B2DN6E Micron Technology Inc. Distributeur
| Référence fabricant | NAND04GW3B2DN6E |
|---|---|
| Fabricant / marque | Micron Technology Inc. |
| quantité disponible | 143690 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP |
| catégorie de produit | Mémoire |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | NAND04GW3B2DN6E.pdf |
S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour NAND04GW3B2DN6E Dans les 24 heures.
- Numéro d'article
- NAND04GW3B2DN6E
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Discontinued at -
- Type de mémoire
- Non-Volatile
- Format de la mémoire
- FLASH
- La technologie
- FLASH - NAND
- Taille mémoire
- 4Gb (512M x 8)
- Fréquence d'horloge
-
- Écrire un temps de cycle - Word, Page
- 25ns
- Temps d'accès
- 25ns
- Interface de mémoire
- Parallel
- Tension - Alimentation
- 2.7 V ~ 3.6 V
- Température de fonctionnement
- -40°C ~ 85°C (TA)
- Type de montage
- Surface Mount
- Paquet / cas
- 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
- Package de périphérique fournisseur
- 48-TSOP
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- NAND04GW3B2DN6E
Composants connexes fabriqués par Micron Technology Inc.
Mots-clés associés pour "NAND0"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| NAND0128W3ADAN7 | STMicroelectronics | NAND0128W3ADAN7 STM IC QFP |
| NAND016GW3C4BN6 | STMicroelectronics | NAND016GW3C4BN6 STM IC TSOP |
| NAND016W3B2AN6 | STMicroelectronics | NAND016W3B2AN6 STM IC TSOP |
| NAND016W3B2AZA6 | STMicroelectronics | NAND016W3B2AZA6 STM IC BGA |
| NAND016W3B2BN6 | STMicroelectronics | NAND016W3B2BN6 STM IC TSSOP |
| NAND016W3B2CN6 | STMicroelectronics | NAND016W3B2CN6 STM IC ORIGINAL |
| NAND01DW382AN6E | STMicroelectronics | NAND01DW382AN6E STM IC TSOP |
| NAND01G-B | STMicroelectronics | 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory IC |
| NAND01G-B2B | STMicroelectronics | 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory IC |
| NAND01G-M | STMicroelectronics | 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP IC |
| NAND01G-N | STMicroelectronics | 1 Gbit (x8/x16) 2112 Byte Page NAND Flash Memory and 512 Mbit (x16) LPSDRAM, 1.8V, Multi-Chip Package IC |
| NAND01GA3BZA6F | STMicroelectronics | NAND01GA3BZA6F STM IC BGA |