Référence fabricantMT49H32M18SJ-25E:B TR
Fabricant / marqueMicron Technology Inc.
quantité disponible53700 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionIC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA
catégorie de produitMémoire
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
MT49H32M18SJ-25E:B TR
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type de mémoire
Volatile
Format de la mémoire
DRAM
La technologie
DRAM
Taille mémoire
576Mb (32M x 18)
Fréquence d'horloge
400MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page
-
Temps d'accès
15ns
Interface de mémoire
Parallel
Tension - Alimentation
1.7 V ~ 1.9 V
Température de fonctionnement
0°C ~ 95°C (TC)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
144-TFBGA
Package de périphérique fournisseur
144-FBGA (18.5x11)
Poids
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Application
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Pièce de rechange
MT49H32M18SJ-25E:B TR

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Numéro d'article Fabricant La description
MT49H32M18BM-18:B Micron Technology Inc. IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA
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MT49H32M18BM-25:B Micron Technology Inc. IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA
MT49H32M18BM-25:B TR Micron Technology Inc. IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA
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MT49H32M18BM-25E:B TR Micron Technology Inc. IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA
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MT49H32M18CBM-18:B Micron Technology Inc. IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA
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MT49H32M18CBM-25 IT:B Micron Technology Inc. IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA
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