Référence fabricantMT47H64M8SH-25E AAT:H
Fabricant / marqueMicron Technology Inc.
quantité disponible152000 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionIC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ
catégorie de produitMémoire
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
MT47H64M8SH-25E AAT:H
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type de mémoire
Volatile
Format de la mémoire
DRAM
La technologie
SDRAM - DDR2
Taille mémoire
512Mb (64M x 8)
Fréquence d'horloge
400MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page
15ns
Temps d'accès
400ps
Interface de mémoire
Parallel
Tension - Alimentation
1.7 V ~ 1.9 V
Température de fonctionnement
-40°C ~ 105°C (TA)
Type de montage
-
Paquet / cas
-
Package de périphérique fournisseur
-
Poids
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Application
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Pièce de rechange
MT47H64M8SH-25E AAT:H

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Numéro d'article Fabricant La description
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MT47H64M16B7-37E:A TR Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
MT47H64M16B7-5E:A Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
MT47H64M16B7-5E:A TR Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
MT47H64M16BT-37E:A Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
MT47H64M16BT-3:A TR Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
MT47H64M16BT-5E:A Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
MT47H64M16HR-187E:H Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-187E:H TR Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25 IT:H Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25 IT:H TR Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25:H Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA