Référence fabricantMT47H256M4HQ-187E:E TR
Fabricant / marqueMicron Technology Inc.
quantité disponible76980 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionIC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
catégorie de produitMémoire
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
MT47H256M4HQ-187E:E TR
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Obsolete
Type de mémoire
Volatile
Format de la mémoire
DRAM
La technologie
SDRAM - DDR2
Taille mémoire
1Gb (256M x 4)
Fréquence d'horloge
533MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page
15ns
Temps d'accès
350ps
Interface de mémoire
Parallel
Tension - Alimentation
1.7 V ~ 1.9 V
Température de fonctionnement
0°C ~ 85°C (TC)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
60-FBGA
Package de périphérique fournisseur
60-FBGA (8x11.5)
Poids
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Application
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Pièce de rechange
MT47H256M4HQ-187E:E TR

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Numéro d'article Fabricant La description
MT47H256M4B7-37E:A Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
MT47H256M4B7-37E:A TR Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
MT47H256M4B7-5E:A Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
MT47H256M4B7-5E:A TR Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
MT47H256M4BT-37E:A Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
MT47H256M4BT-3:A Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
MT47H256M4BT-5E:A Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
MT47H256M4CF-25:H Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-25E:H Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-25E:H TR Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-3 IT:H Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-3:H Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA