Référence fabricantIS43R86400E-6BL-TR
Fabricant / marqueISSI, Integrated Silicon Solution Inc
quantité disponible56760 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionIC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
catégorie de produitMémoire
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
IS43R86400E-6BL-TR
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type de mémoire
Volatile
Format de la mémoire
DRAM
La technologie
SDRAM - DDR
Taille mémoire
512Mb (64M x 8)
Fréquence d'horloge
166MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page
15ns
Temps d'accès
700ps
Interface de mémoire
Parallel
Tension - Alimentation
2.3 V ~ 2.7 V
Température de fonctionnement
0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage
-
Paquet / cas
-
Package de périphérique fournisseur
-
Poids
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Application
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Pièce de rechange
IS43R86400E-6BL-TR

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Numéro d'article Fabricant La description
IS43R83200B-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
IS43R83200B-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
IS43R83200B-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
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IS43R83200F-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
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