Référence fabricantIS42S32800B-7T
Fabricant / marqueISSI, Integrated Silicon Solution Inc
quantité disponible25710 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionIC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II
catégorie de produitMémoire
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
IS42S32800B-7T
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Obsolete
Type de mémoire
Volatile
Format de la mémoire
DRAM
La technologie
SDRAM
Taille mémoire
256Mb (8M x 32)
Fréquence d'horloge
143MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page
-
Temps d'accès
5.5ns
Interface de mémoire
Parallel
Tension - Alimentation
3 V ~ 3.6 V
Température de fonctionnement
0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Package de périphérique fournisseur
86-TSOP II
Poids
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Application
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Pièce de rechange
IS42S32800B-7T

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Numéro d'article Fabricant La description
IS42G32256-BPQ SAMSUNG SAMSUNG orginal components
IS42R32800J-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC SDRAM 256M 133MHZ 90BGA
IS42RM16160D-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
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