Référence fabricant70V3579S5BCI8
Fabricant / marqueIDT, Integrated Device Technology Inc
quantité disponible104240 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionIC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
catégorie de produitMémoire
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
70V3579S5BCI8
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type de mémoire
Volatile
Format de la mémoire
SRAM
La technologie
SRAM - Dual Port, Synchronous
Taille mémoire
1.125Mb (32K x 36)
Fréquence d'horloge
-
Écrire un temps de cycle - Word, Page
-
Temps d'accès
5ns
Interface de mémoire
Parallel
Tension - Alimentation
3.15 V ~ 3.45 V
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
256-LBGA
Package de périphérique fournisseur
256-CABGA (17x17)
Poids
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Application
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Pièce de rechange
70V3579S5BCI8

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Numéro d'article Fabricant La description
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70V3319S133BCI8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA
70V3319S133BF IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA
70V3319S133BF8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA
70V3319S133BFI IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA
70V3319S133BFI8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA
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70V3319S133PRF8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5M PARALLEL 128TQFP
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