IPP05CN10NGXKSA1 Infineon Technologies Distributeur
| Référence fabricant | IPP05CN10NGXKSA1 |
|---|---|
| Fabricant / marque | Infineon Technologies |
| quantité disponible | 196410 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | MOSFET N-CH 100V 100A TO-220 |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | IPP05CN10NGXKSA1.pdf |
S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour IPP05CN10NGXKSA1 Dans les 24 heures.
- Numéro d'article
- IPP05CN10NGXKSA1
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Not For New Designs
- FET Type
- N-Channel
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 100V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 100A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 5.4 mOhm @ 100A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 181nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 12000pF @ 50V
- FET Caractéristique
-
- Dissipation de puissance (Max)
- 300W (Tc)
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Type de montage
- Through Hole
- Package de périphérique fournisseur
- PG-TO-220-3
- Paquet / cas
- TO-220-3
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- IPP05CN10NGXKSA1
Composants connexes fabriqués par Infineon Technologies
.jpg "IR3316STRRPBF")
Mots-clés associés pour "IPP05"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| IPP050N06N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 |
| IPP051N15N5AKSA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS |
| IPP052N06L3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 |
| IPP052N06L3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 |
| IPP052N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 |
| IPP052NE7N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 |
| IPP052NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 |
| IPP054NE8NGHKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 85V 100A TO-220 |
| IPP055N03 | MICREL / MICROCHIP | IPP055N03 MICREL ROHMLL34 |
| IPP055N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3 |
| IPP057N06N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 |
| IPP057N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 |