Référence fabricantIPB60R299CPAATMA1
Fabricant / marqueInfineon Technologies
quantité disponible92310 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOSFET N-CH TO263-3
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
IPB60R299CPAATMA1
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
299 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 100V
FET Caractéristique
-
Dissipation de puissance (Max)
96W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Package de périphérique fournisseur
PG-TO263-3
Paquet / cas
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids
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Application
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Pièce de rechange
IPB60R299CPAATMA1

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Numéro d'article Fabricant La description
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