IPB06N03LB G Infineon Technologies Distributeur
| Référence fabricant | IPB06N03LB G |
|---|---|
| Fabricant / marque | Infineon Technologies |
| quantité disponible | 21680 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | IPB06N03LB G.pdf |
S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour IPB06N03LB G Dans les 24 heures.
- Numéro d'article
- IPB06N03LB G
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Obsolete
- FET Type
- N-Channel
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 30V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 50A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 6.3 mOhm @ 50A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2V @ 40µA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 22nC @ 5V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 2782pF @ 15V
- FET Caractéristique
-
- Dissipation de puissance (Max)
- 83W (Tc)
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Package de périphérique fournisseur
- D²PAK (TO-263AB)
- Paquet / cas
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- IPB06N03LB G
Composants connexes fabriqués par Infineon Technologies
.jpg "IR3310STRR")
Mots-clés associés pour "IPB0"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| IPB009N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7 |
| IPB010N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7 |
| IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 |
| IPB011N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 |
| IPB014N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7 |
| IPB015N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 |
| IPB015N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 |
| IPB015N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 |
| IPB016N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
| IPB017N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
| IPB017N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK |
| IPB017N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7 |