GP1M018A020CG Global Power Technologies Group Distributeur
| Référence fabricant | GP1M018A020CG |
|---|---|
| Fabricant / marque | Global Power Technologies Group |
| quantité disponible | 170120 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | MOSFET N-CH 200V 18A DPAK |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | GP1M018A020CG.pdf |
S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour GP1M018A020CG Dans les 24 heures.
- Numéro d'article
- GP1M018A020CG
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Obsolete
- FET Type
- N-Channel
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 200V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 18A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 170 mOhm @ 9A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 5V @ 250µA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 18nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 950pF @ 25V
- FET Caractéristique
-
- Dissipation de puissance (Max)
- 94W (Tc)
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Package de périphérique fournisseur
- D-Pak
- Paquet / cas
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- GP1M018A020CG
Composants connexes fabriqués par Global Power Technologies Group
Mots-clés associés pour "GP1M"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| GP1M003A040CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 400V 2A DPAK |
| GP1M003A040PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 400V 2A IPAK |
| GP1M003A050CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK |
| GP1M003A050FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F |
| GP1M003A050HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220 |
| GP1M003A050PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK |
| GP1M003A080CH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A DPAK |
| GP1M003A080FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A TO220F |
| GP1M003A080H | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A TO220 |
| GP1M003A080PH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A IPAK |
| GP1M003A090C | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK |
| GP1M003A090PH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK |