Référence fabricantEPC2108
Fabricant / marqueEPC
quantité disponible74230 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
EPC2108
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
FET Type
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET Caractéristique
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension de source (Vdss)
60V, 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Puissance - Max
-
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
9-VFBGA
Package de périphérique fournisseur
9-BGA (1.35x1.35)
Poids
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Application
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Pièce de rechange
EPC2108

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