Référence fabricantEPC2105ENGRT
Fabricant / marqueEPC
quantité disponible99770 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique EPC2105ENGRT.pdf

S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour EPC2105ENGRT Dans les 24 heures.

Numéro d'article
EPC2105ENGRT
Statut de production (cycle de vie)
Contact us
Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
FET Type
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Caractéristique
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension de source (Vdss)
80V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
9.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 40V
Puissance - Max
-
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
Die
Package de périphérique fournisseur
Die
Poids
Contact us
Application
Email for details
Pièce de rechange
EPC2105ENGRT

Composants connexes fabriqués par EPC

Mots-clés associés pour "EPC2"

Numéro d'article Fabricant La description
EPC2 ALTERA (INTEL) SRAM-Based LUT Devices IC
EPC2-TC32 ALTERA (INTEL) EPC2-TC32 QFP IC
EPC2-TI32 ALTERA (INTEL) EPC2-TI32 Original IC
EPC2001 EPC TRANSISTOR GAN 100V 25A BUMPED DIE
EPC2001C EPC TRANSISTOR GAN 100V 36A BUMPED DIE
EPC2007 EPC TRANSISTOR GAN 100V 6A BUMPED DIE
EPC2007C EPC TRANSISTOR GAN 100V 6A BUMPED DIE
EPC2010 EPC TRANSISTOR GAN 200V 12A BUMPED DIE
EPC2010C EPC TRANSISTOR GAN 200V 22A BUMPED DIE
EPC2012 EPC TRANSISTOR GAN 200V 3A BUMPED DIE
EPC2012C EPC TRANSISTOR GAN 200V 5A BUMPED DIE
EPC2014 EPC TRANSISTOR GAN 40V 10A BUMPED DIE