Référence fabricantEPC2015C
Fabricant / marqueEPC
quantité disponible137400 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionTRANSISTOR GAN 40V 33A BUMPED DIE
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
EPC2015C
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
La technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension de source (Vdss)
40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
53A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4 mOhm @ 33A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 9mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.7nC @ 5V
Vgs (Max)
+6V, -4V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
980pF @ 20V
FET Caractéristique
-
Dissipation de puissance (Max)
-
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Package de périphérique fournisseur
Die
Paquet / cas
Die
Poids
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Pièce de rechange
EPC2015C

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