Référence fabricantZXMN6A11DN8TA
Fabricant / marqueDiodes Incorporated
quantité disponible104950 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
ZXMN6A11DN8TA
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
FET Type
2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique
Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5.7nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 40V
Puissance - Max
1.8W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur
8-SOP
Poids
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Application
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Pièce de rechange
ZXMN6A11DN8TA

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