ZXMN10B08E6TC Diodes Incorporated Distributeur
| Référence fabricant | ZXMN10B08E6TC |
|---|---|
| Fabricant / marque | Diodes Incorporated |
| quantité disponible | 69270 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6 |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | ZXMN10B08E6TC.pdf |
S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour ZXMN10B08E6TC Dans les 24 heures.
- Numéro d'article
- ZXMN10B08E6TC
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Obsolete
- FET Type
- N-Channel
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 100V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 1.6A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.3V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 230 mOhm @ 1.6A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3V @ 250µA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 9.2nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 497pF @ 50V
- FET Caractéristique
-
- Dissipation de puissance (Max)
- 1.1W (Ta)
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Package de périphérique fournisseur
- SOT-26
- Paquet / cas
- SOT-23-6
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- ZXMN10B08E6TC
Composants connexes fabriqués par Diodes Incorporated
Mots-clés associés pour "ZXMN"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| ZXMN 2A02 | FAIRCHILD | ZXMN 2A02 FAIRCHILD IC MSOP-8 |
| ZXMN0545FFTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 450V SOT23F-3 |
| ZXMN0545G4TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223 |
| ZXMN10A07FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 |
| ZXMN10A07FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 |
| ZXMN10A07ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 |
| ZXMN10A08DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC |
| ZXMN10A08DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC |
| ZXMN10A08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6 |
| ZXMN10A08E6TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6 |
| ZXMN10A08GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2A SOT223 |
| ZXMN10A09KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 5A DPAK |