CY7C1165V18-300BZXI CYPRESS Distributeur
| Référence fabricant | CY7C1165V18-300BZXI |
|---|---|
| Fabricant / marque | CYPRESS |
| quantité disponible | 67070 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | 18-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency IC |
| catégorie de produit | Cypress IC |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | CY7C1165V18-300BZXI.pdf |
S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour CY7C1165V18-300BZXI Dans les 24 heures.
- Numéro d'article
- CY7C1165V18-300BZXI
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Emballage / cas
- Original
- Séries
- CY7C116
- Pays d'origine
- contact us
- État de la pièce
- Active
- Processeur principal
- -
- Taille du noyau
- -
- La vitesse
- -
- TYPE
- -
- Connectivité
- -
- Contribution
- -
- Périphériques
- -
- Sortie
- -
- Nombre d'E / S
- -
- Taille de la mémoire du programme
- -
- Type de mémoire de programme
- -
- EEPROM Taille
- -
- Taille de RAM
- -
- Tension - Alimentation
- -
- Caractéristiques
- -
- Température de fonctionnement
- contact us
- Package de périphérique fournisseur
- -
- Autre numéro de pièce
- CY7C1165V18-300BZXI
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- CY7C1165V18-300BZXI
Composants connexes fabriqués par CYPRESS
Mots-clés associés pour "CY7C11"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| CY7C1141V18 | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1141V18-300BZC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1141V18-300BZI | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1141V18-300BZXC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1141V18-300BZXI | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1143KV18-400BZC | Cypress Semiconductor Corp | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
| CY7C1143KV18-400BZI | Cypress Semiconductor Corp | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
| CY7C1143KV18-450BZC | Cypress Semiconductor Corp | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
| CY7C1143V18 | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1143V18-300BZC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1143V18-300BZI | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1143V18-300BZXC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |