Référence fabricantAS4C8M32MSA-6BINTR
Fabricant / marqueAlliance Memory, Inc.
quantité disponible197270 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionIC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA
catégorie de produitMémoire
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
AS4C8M32MSA-6BINTR
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type de mémoire
Volatile
Format de la mémoire
DRAM
La technologie
SDRAM - Mobile
Taille mémoire
256Mb (8M x 32)
Fréquence d'horloge
166MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page
-
Temps d'accès
5.5ns
Interface de mémoire
Parallel
Tension - Alimentation
1.7 V ~ 1.95 V
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
90-VFBGA
Package de périphérique fournisseur
90-FBGA (8x13)
Poids
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Application
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Pièce de rechange
AS4C8M32MSA-6BINTR

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Mots-clés associés pour "AS4C8M"

Numéro d'article Fabricant La description
AS4C8M16D1-5BCN Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA
AS4C8M16D1-5BCNTR Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA
AS4C8M16D1-5BIN Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA
AS4C8M16D1-5BINTR Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA
AS4C8M16D1-5TCN Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
AS4C8M16D1-5TCNTR Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
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AS4C8M16D1-5TINTR Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
AS4C8M16D1A-5TCN Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
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AS4C8M16D1A-5TIN Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
AS4C8M16D1A-5TINTR Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II