Référence fabricantALD114913PAL
Fabricant / marqueAdvanced Linear Devices Inc.
quantité disponible78870 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
ALD114913PAL
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
FET Type
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET Caractéristique
Depletion Mode
Drain à la tension de source (Vdss)
10.6V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
12mA, 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500 Ohm @ 2.7V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.26V @ 1µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2.5pF @ 5V
Puissance - Max
500mW
Température de fonctionnement
0°C ~ 70°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Paquet / cas
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Package de périphérique fournisseur
8-PDIP
Poids
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Application
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Pièce de rechange
ALD114913PAL

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Numéro d'article Fabricant La description
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ALD1101APAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
ALD1101ASAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
ALD1101BPAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
ALD1101BSAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
ALD1101PAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
ALD1101SAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
ALD1102APAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
ALD1102ASAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
ALD1102BPAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
ALD1102BSAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
ALD1102PAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP