Número de pieza

SUM110N04-2M1P-E3

Estado de producción (ciclo de vida)

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Fabricante plazo de ejecución

6-8 weeks

Condición

New & Unused, Original Sealed

forma de envio

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Estado de la pieza

Last Time Buy

Tipo de FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Drene a la fuente de voltaje (Vdss)

40V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C

29A (Ta), 110A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

360nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

18800pF @ 20V

Característica FET

-

Disipación de potencia (Máx)

3.13W (Ta), 312W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-263 (D2Pak)

Paquete / caja

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso

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Repuesto

SUM110N04-2M1P-E3