SI4493DY-T1-GE3 Vishay Siliconix Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | SI4493DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Vishay Siliconix |
| Cantidad disponible | 139990 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | SI4493DY-T1-GE3.pdf |
Por favor complete el siguiente formulario de consulta, le responderemos la cotización de SI4493DY-T1-GE3 en 24 horas.
- Número de pieza
- SI4493DY-T1-GE3
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Obsolete
- Tipo de FET
- P-Channel
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 20V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 10A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 7.75 mOhm @ 14A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1.4V @ 250µA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 110nC @ 4.5V
- Vgs (Max)
- ±12V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
- Característica FET
-
- Disipación de potencia (Máx)
- 1.5W (Ta)
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Paquete de dispositivo del proveedor
- 8-SO
- Paquete / caja
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- SI4493DY-T1-GE3
Componentes relacionados hechos por Vishay Siliconix
-
-
-
-
-
VISHAYMetal Film Resistors, Military MIL-R-10509 Qualified, Type RN and MIL-PRF-22684 Qualified, Type RL -
-
-
VISHAYThe varistors consist of a disc of low-ceramic material with two tinned solid copper leads.
-
-
Palabras clave relacionadas para "SI449"
| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
| SI44900T-T1-E3 | VISHAY | SI44900T-T1-E3 original vishay components |
| SI4490@@@@@@ | VISHAY | SI4490@@@@@@ original vishay components |
| SI4490DY | VISHAY | N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
| SI4490DY-E3 | VISHAY | SI4490DY-E3 original vishay components |
| Si4490DY-T1 | VISHAY | N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
| SI4490DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC |
| SI4490DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC |
| SI4490DY-TI-E3 | VISHAY | SI4490DY-TI-E3 original vishay components |
| SI4490DYT1 | VISHAY | SI4490DYT1 original vishay components |
| SI4491DY | VISHAY | SI4491DY original vishay components |
| SI4491DY-TI-E3 | VISHAY | SI4491DY-TI-E3 original vishay components |
| SI4491EDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO |