Número de pieza

SI4447DY-T1-GE3

Estado de producción (ciclo de vida)

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Fabricante plazo de ejecución

6-8 weeks

Condición

New & Unused, Original Sealed

forma de envio

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Estado de la pieza

Active

Tipo de FET

P-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Drene a la fuente de voltaje (Vdss)

40V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C

3.3A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

15V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

72 mOhm @ 4.5A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±16V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

805pF @ 20V

Característica FET

-

Disipación de potencia (Máx)

1.1W (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SO

Paquete / caja

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso

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Repuesto

SI4447DY-T1-GE3