SI3433BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | SI3433BDV-T1-GE3 |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Vishay Siliconix |
| Cantidad disponible | 33280 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET P-CH 20V 4.3A 6-TSOP |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | SI3433BDV-T1-GE3.pdf |
Por favor complete el siguiente formulario de consulta, le responderemos la cotización de SI3433BDV-T1-GE3 en 24 horas.
- Número de pieza
- SI3433BDV-T1-GE3
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Obsolete
- Tipo de FET
- P-Channel
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 20V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 4.3A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.8V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 42 mOhm @ 5.6A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 850mV @ 250µA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 18nC @ 4.5V
- Vgs (Max)
- ±8V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
- Característica FET
-
- Disipación de potencia (Máx)
- 1.1W (Ta)
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Paquete de dispositivo del proveedor
- 6-TSOP
- Paquete / caja
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- SI3433BDV-T1-GE3
Componentes relacionados hechos por Vishay Siliconix
Palabras clave relacionadas para "SI343"
| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
| SI3430DV | VISHAY | N-Channel 100-V (D-S) MOSFET |
| SI3430DV-T1 | VISHAY | N-Channel 100-V (D-S) MOSFET |
| SI3430DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP |
| SI3430DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP |
| SI3430DVT1 | VISHAY | SI3430DVT1 original vishay components |
| SI3430DV_08 | VISHAY | N-Channel 100-V (D-S) MOSFET |
| SI3433 | VISHAY | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| SI3433B | VISHAY | SI3433B original vishay components |
| Si3433BDV | VISHAY | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| SI3433BDV-T1 | VISHAY | SI3433BDV-T1 original vishay components |
| SI3433BDV-T1-E | VISHAY | SI3433BDV-T1-E original vishay components |
| SI3433BDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4.3A 6-TSOP |