Número de pieza

SI2319CDS-T1-GE3

Estado de producción (ciclo de vida)

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Fabricante plazo de ejecución

6-8 weeks

Condición

New & Unused, Original Sealed

forma de envio

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Estado de la pieza

Active

Tipo de FET

P-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Drene a la fuente de voltaje (Vdss)

40V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C

4.4A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

77 mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

595pF @ 20V

Característica FET

-

Disipación de potencia (Máx)

1.25W (Ta), 2.5W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivo del proveedor

SOT-23-3 (TO-236)

Paquete / caja

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso

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Repuesto

SI2319CDS-T1-GE3