Número de pieza del fabricanteRN1118MFV,L3F
Fabricante / MarcaToshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible197500 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónX34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
categoria de productoTransistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
RN1118MFV,L3F
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)
50V
Resistor - Base (R1)
47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - corte de colector (máximo)
500nA
Frecuencia - Transición
250MHz
Potencia - Max
150mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / caja
SOT-723
Paquete de dispositivo del proveedor
VESM
Peso
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Solicitud
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Repuesto
RN1118MFV,L3F

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Número de pieza Fabricante Descripción
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RN1102,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM
RN1102ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.1W CST3
RN1102CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1103ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.1W CST3
RN1103CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.05W CST3