Número de pieza

CSD25501F3

Estado de producción (ciclo de vida)

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Fabricante plazo de ejecución

6-8 weeks

Condición

New & Unused, Original Sealed

forma de envio

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Estado de la pieza

Active

Tipo de FET

P-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Drene a la fuente de voltaje (Vdss)

20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C

3.6A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

76 mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.05V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

1.33nC @ 4.5V

Vgs (Max)

-20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

385pF @ 10V

Característica FET

-

Disipación de potencia (Máx)

500mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivo del proveedor

3-LGA (0.73x0.64)

Paquete / caja

3-XFLGA

Peso

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Repuesto

CSD25501F3