Número de pieza

CSD17309Q3

Estado de producción (ciclo de vida)

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Fabricante plazo de ejecución

6-8 weeks

Condición

New & Unused, Original Sealed

forma de envio

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Estado de la pieza

Active

Tipo de FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Drene a la fuente de voltaje (Vdss)

30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C

20A (Ta), 60A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

3V, 8V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.4 mOhm @ 18A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.7V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs (Max)

+10V, -8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1440pF @ 15V

Característica FET

-

Disipación de potencia (Máx)

2.8W (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivo del proveedor

8-VSON-CLIP (3.3x3.3)

Paquete / caja

8-PowerTDFN

Peso

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Repuesto

CSD17309Q3