Número de pieza

RJK6032DPD-00#J2

Estado de producción (ciclo de vida)

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Fabricante plazo de ejecución

6-8 weeks

Condición

New & Unused, Original Sealed

forma de envio

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Estado de la pieza

Active

Tipo de FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Drene a la fuente de voltaje (Vdss)

600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C

3A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

285pF @ 25V

Característica FET

-

Disipación de potencia (Máx)

40.3W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivo del proveedor

MP-3A

Paquete / caja

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso

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Repuesto

RJK6032DPD-00#J2