RFD12N06RLE ON Semiconductor Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | RFD12N06RLE |
|---|---|
| Fabricante / Marca | ON Semiconductor |
| Cantidad disponible | 175720 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET N-CH 60V 18A IPAK |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | RFD12N06RLE.pdf |
Por favor complete el siguiente formulario de consulta, le responderemos la cotización de RFD12N06RLE en 24 horas.
- Número de pieza
- RFD12N06RLE
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Obsolete
- Tipo de FET
- N-Channel
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 60V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 18A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 63 mOhm @ 18A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3V @ 250µA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 15nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±16V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 485pF @ 25V
- Característica FET
-
- Disipación de potencia (Máx)
- 40W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Through Hole
- Paquete de dispositivo del proveedor
- TO-251AA
- Paquete / caja
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- RFD12N06RLE
Componentes relacionados hechos por ON Semiconductor
Palabras clave relacionadas para "RFD"
| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
| RFD08P05SM | HARRIS | RFD08P05SM HARRIS IC ORIGINAL |
| RFD10N05 | INTERSIL | RFD10N05 INTERSIL IC TO-252 |
| RFD10N05SM | INTERSIL | RFD10N05SM INTERSIL IC TO-252 |
| RFD10P03 | HARRIS | RFD10P03 HARRIS IC TO252 |
| RFD10P03L | INTERSIL | 10A, 30V, 0.200 Ohm, Logic Level, P-Channel Power MOSFET IC |
| RFD10P03L @@@@@ | HARRIS | RFD10P03L @@@@@ HARRIS IC TO-252 |
| RFD10P03LSM | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA |
| RFD10P03LSM9A | HARRIS | 10A, 30V, 0.200 ohm, Logic Level P-Channel Power MOSFET IC |
| RFD10P03LSM9A(FDD5614P) | FAIRCHILD | RFD10P03LSM9A(FDD5614P) FAIRCHILD IC Original |
| RFD10P03SM | FAIRCHILD | RFD10P03SM FAIRCHILD IC TO-251252 |
| RFD10P05 | INTERSIL | RFD10P05 INTERSIL IC SOT252 |
| RFD10P06 | FAIRCHILD | RFD10P06 FAIRCHILD IC TO-251252 |