Número de pieza del fabricanteMT47H64M8B6-5E IT:D TR
Fabricante / MarcaMicron Technology Inc.
Cantidad disponible70310 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónIC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
categoria de productoMemoria
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
MT47H64M8B6-5E IT:D TR
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo de memoria
Volatile
Formato de memoria
DRAM
Tecnología
SDRAM - DDR2
Tamaño de la memoria
512Mb (64M x 8)
Frecuencia de reloj
200MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página
15ns
Tiempo de acceso
600ps
interfaz de memoria
Parallel
Suministro de voltaje
1.7 V ~ 1.9 V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / caja
60-FBGA
Paquete de dispositivo del proveedor
60-FBGA
Peso
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Solicitud
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Repuesto
MT47H64M8B6-5E IT:D TR

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Número de pieza Fabricante Descripción
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MT47H64M16B7-5E:A TR Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
MT47H64M16BT-37E:A Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
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MT47H64M16HR-25 IT:H TR Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
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