Número de pieza del fabricanteIXTY08N50D2
Fabricante / MarcaIXYS
Cantidad disponible189360 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónMOSFET N-CH 500V 800MA DPAK
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
IXTY08N50D2
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
800mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
12.7nC @ 5V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
312pF @ 25V
Característica FET
Depletion Mode
Disipación de potencia (Máx)
60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-252, (D-Pak)
Paquete / caja
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso
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Solicitud
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Repuesto
IXTY08N50D2

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Número de pieza Fabricante Descripción
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IXTA02N450HV IXYS MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263
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IXTA05N100HV IXYS MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263
IXTA06N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263
IXTA08N100D2 IXYS MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK
IXTA08N100D2HV IXYS MOSFET N-CH
IXTA08N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263
IXTA08N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263