Número de pieza del fabricanteIXTN210P10T
Fabricante / MarcaIXYS
Cantidad disponible68100 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónMOSFET P-CH 100V 210A SOT-227
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
IXTN210P10T
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
210A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5 mOhm @ 105A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
740nC @ 10V
Vgs (Max)
±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
69500pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (Máx)
830W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-227B
Paquete / caja
SOT-227-4, miniBLOC
Peso
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Solicitud
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Repuesto
IXTN210P10T

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Número de pieza Fabricante Descripción
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IXT-1-1N100S1-TR IXYS MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
IXTA02N250 IXYS MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263
IXTA02N250HV IXYS MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263
IXTA02N450HV IXYS MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263
IXTA05N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263
IXTA05N100HV IXYS MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263
IXTA06N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263
IXTA08N100D2 IXYS MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK
IXTA08N100D2HV IXYS MOSFET N-CH
IXTA08N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263
IXTA08N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263