Número de pieza del fabricanteIS43DR86400C-25DBLI-TR
Fabricante / MarcaISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Cantidad disponible149740 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónIC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
categoria de productoMemoria
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
IS43DR86400C-25DBLI-TR
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de memoria
Volatile
Formato de memoria
DRAM
Tecnología
SDRAM - DDR2
Tamaño de la memoria
512Mb (64M x 8)
Frecuencia de reloj
400MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página
15ns
Tiempo de acceso
400ps
interfaz de memoria
Parallel
Suministro de voltaje
1.7 V ~ 1.9 V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / caja
60-TFBGA
Paquete de dispositivo del proveedor
60-TWBGA (8x10.5)
Peso
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Solicitud
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Repuesto
IS43DR86400C-25DBLI-TR

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Número de pieza Fabricante Descripción
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