IRF5803D2TRPBF Infineon Technologies Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | IRF5803D2TRPBF |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Infineon Technologies |
| Cantidad disponible | 21000 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | IRF5803D2TRPBF.pdf |
Por favor complete el siguiente formulario de consulta, le responderemos la cotización de IRF5803D2TRPBF en 24 horas.
- Número de pieza
- IRF5803D2TRPBF
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Obsolete
- Tipo de FET
- P-Channel
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 40V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 3.4A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 112 mOhm @ 3.4A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3V @ 250µA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 37nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 1110pF @ 25V
- Característica FET
- Schottky Diode (Isolated)
- Disipación de potencia (Máx)
- 2W (Ta)
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Paquete de dispositivo del proveedor
- 8-SO
- Paquete / caja
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- IRF5803D2TRPBF
Componentes relacionados hechos por Infineon Technologies
Palabras clave relacionadas para "IRF5"
| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
| IRF50N05 | HARRIS | IRF50N05 HARRIS IC TO-3P |
| IRF50N06 | HARRIS | IRF50N06 HARRIS IC TO-3P |
| IRF510 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB |
| IRF510-513 | FAIRCHILD | N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V IC |
| IRF510-VI | VISHAY | IRF510-VI original vishay components |
| IRF510A | FAIRCHILD | Advanced Power MOSFET IC |
| IRF510A-TSTU | SAMSUNG | SAMSUNG orginal components |
| IRF510H605 | HARRIS | IRF510H605 HARRIS IC ORIGINAL |
| IRF510L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262 |
| IRF510PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB |
| IRF510PBF-VI | VISHAY | IRF510PBF-VI original vishay components |
| IRF510R4941 | FAIRCHILD | IRF510R4941 FAIRCHILD IC Original |